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Company News About 高熱伝導性シリコンナイトリドセラミック基板は,EVとIGBTモジュールの熱分散を促進する
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高熱伝導性シリコンナイトリドセラミック基板は,EVとIGBTモジュールの熱分散を促進する

2025-02-02
Latest company news about 高熱伝導性シリコンナイトリドセラミック基板は,EVとIGBTモジュールの熱分散を促進する

電気自動車（EV）、高速鉄道、新エネルギー充電システムの急速な発展に伴い、パワーデバイスの熱管理は、システムの信頼性における重要な要素となっています。高熱伝導率の窒化ケイ素（Si₃N₄）セラミック基板は、IGBT、MOSFET、SiCモジュールなどの第三世代半導体デバイスにおける高度なパッケージングと放熱のための主要材料として登場しました。

高純度窒化ケイ素粉末から製造され、独自の配合とホットプレスプロセスを用いて2000℃以上の温度で焼結されます。優れた電気絶縁性、低誘電損失、高い機械的強度を維持しながら、80W/(m·K)を超える熱伝導率を実現しています。アルミナや窒化アルミニウムと比較して、Si₃N₄セラミックスは優れた靭性と耐熱衝撃性を備えており、デバイスの長寿命化とシステムの安定性向上を保証します。

EVモータードライブモジュール、インバーター、DC/DCコンバーター、急速充電ステーションにおいて、Si₃N₄セラミック基板は接合部の温度を効果的に下げ、放熱効率を高めます。その優れた破壊靭性と熱サイクルへの耐性により、ハイブリッド車や鉄道輸送電力システムなどの過酷な条件下での使用に最適です。

EV業界以外にも、窒化ケイ素基板は、鉄道牽引システム、パワーエレクトロニクス制御モジュール、産業用インバーター、太陽光発電用インバーターにも使用されています。高い熱伝導率、電気絶縁性、信頼性を兼ね備えたSi₃N₄基板は、パワーエレクトロニクスパッケージングと熱管理の未来を再定義しています。

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