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中国 Wuxi Special Ceramic Electrical Co.,Ltd Company News

高電力密度と熱故障の課題に取り組む シリコンナイトライドセラミック基板は次世代半導体の安定したパッケージングを可能にします

SiC、GaN、IGBTモジュールなどの第三世代半導体が、より高い電力密度とスイッチング周波数に向けて進化を続ける中、顧客は熱的故障やデバイスの信頼性に関する課題に直面しています。高温・高電流動作下では、従来のアルミナや窒化アルミニウム基板は、しばしば低い熱伝導率と低い機械的強度に悩まされ、過熱、はんだ疲労、または剥離を引き起こします。 高熱伝導率の窒化ケイ素(Si₃N₄)セラミック基板は、画期的なソリューションを提供します。高純度Si₃N₄粉末から精密成形と2000℃以上の焼結によって製造され、>80 W/(m・K)の熱伝導率に加え、優れた絶縁性、低い誘電損失、そして優れた曲げ強度を実現します。 従来の材料とは異なり、窒化ケイ素の熱膨張係数はシリコンチップに近いため、熱応力を軽減し、剥離を防ぎます。高い破壊靭性と耐熱衝撃性により、急速な加熱サイクルや頻繁な起動停止動作下での信頼性が確保され、モジュールの寿命を大幅に延長します。 窒化ケイ素セラミック基板は現在、EVモーター駆動モジュール、鉄道牽引コンバーター、高速鉄道制御システム、急速充電電源ユニットに広く採用されています。顧客からのフィードバックによると、従来の基板と比較して、接合温度が最大15%低下し、熱サイクル寿命が3倍に向上しています。 高い熱伝導率、機械的信頼性、および電気絶縁性を備えた窒化ケイ素セラミック基板は、次世代パワーエレクトロニクスパッケージングと熱管理に最適な材料となり、より安全で、長寿命で、より効率的な半導体システムをサポートしています。

2025

08/11

熱衝撃と腐食に対する二重の保護 — 窒化ケイ素セラミック部品がアルミニウム鋳造における安定した生産を保証

低圧鋳造およびアルミニウム鋳造の現場では、多くの顧客が溶融アルミニウムや熱衝撃によるクラックや腐食に悩まされています。金属製のライザーチューブやヒーター保護チューブの頻繁な交換は、メンテナンスコストを増加させるだけでなく、生産の安定性も損ないます。 窒化ケイ素(Si₃N₄)セラミックライザーチューブとヒーター保護チューブは、これらの問題に対する長期的な解決策を提供します。高純度のSi₃N₄粉末から製造され、2000℃以上で焼結されたこれらのセラミック部品は、高密度、優れた機械的強度、そして卓越した耐熱衝撃性を特徴としています。急激な加熱と冷却下でも、完全な構造的完全性を維持し、アルミニウムの浸透を防ぎます。 それらの低い熱膨張係数と優れた熱伝導率は、均一な温度分布を保証し、金属の酸化を最小限に抑え、エネルギー効率を向上させます。連続運転において、窒化ケイ素ライザーチューブは交換なしで数千時間稼働でき、ヒーター保護チューブは発熱体の寿命を効果的に延ばします。 現場データによると、Si₃N₄部品を使用している顧客は、最大30%高い生産安定性と、よりクリーンな溶融アルミニウム品質を経験しています。高温強度、耐食性、長寿命を備えた窒化ケイ素セラミック構造部品は、現代のアルミニウム鋳造作業における主要な材料となりつつあります。

2025

06/16

高速・電気腐食の課題を解決 — HIP シリコンナイトライドセラミックボールがベアリングの信頼性を大幅に向上

EVモーター、工作機械スピンドル、風力タービンシステムにおいて、顧客は高速、高温条件下でのベアリング摩耗や電気腐食という繰り返し発生する問題に直面しています。従来の鋼球は、迷走電流にさらされると過熱、酸化、故障しやすいため、システムの寿命を縮め、メンテナンスコストを増加させる傾向があります。 これらの課題に対処するため、高性能熱間静水圧プレス(HIP)窒化ケイ素セラミックボールは、実績のあるソリューションを提供します。超高純度Si₃N₄粉末から作られ、2000℃以上で焼結されたHIPプロセスは、完全な密度と気孔のない構造を保証し、卓越した靭性と熱安定性をもたらします。このセラミックボールは、高い電気絶縁性と高い機械的強度を兼ね備え、電気的なピッティングを防止し、最大1000℃の温度でも安定した動作を保証します。 鋼球のわずか40%の重量で、回転慣性と発熱を低減します。自己潤滑性の表面は摩擦を最小限に抑え、メンテナンスフリーの動作を可能にし、EVモーターや精密スピンドルにおける長期的な信頼性に最適です。 用途例: 歯科用ドリルベアリング(約1mm)— 超高速安定性の確保 EVモーターベアリング(約10mm)— 電気的浸食の排除 風力タービン発電機ベアリング(約50mm)— 耐久性と安全性の向上 軽量設計、耐摩耗性、絶縁性、長寿命という利点を持つHIP窒化ケイ素セラミックボールは、現代のベアリングエンジニアリングにおける信頼性の基準を再定義しています。

2025

05/20

EVパワーモジュールの過熱?高絶縁Si₃N₄基板がシステム信頼性を向上

電気自動車のパワーモジュールは、高電流、高周波、連続的な熱サイクルなど、過酷な条件下で動作することがよくあります。これらのストレスは、剥離、はんだ疲労、最終的なデバイス故障を引き起こします。高絶縁性窒化ケイ素基板は、高熱伝導率(≥90 W/m·K)、優れた絶縁耐力(≥20 kV/mm)、および卓越した機械的堅牢性(≥600 MPa)を単一のプラットフォームで組み合わせることにより、これらの問題に対処するように設計されています。 3×10⁻⁶/KのCTEを持つこの基板は、シリコンまたはSiCチップと完全に一致し、熱疲労を軽減し、長期的な信頼性を向上させます。AMBまたはDBC銅メタライゼーションは、効率的な放熱のために優れた接着性と低い熱抵抗を提供します。フィールドデータによると、Si₃N₄ベースのモジュールは、125°Cで2000時間以上劣化することなく動作し、100,000回以上の熱サイクルにわたって安定性を維持できます。 今日、Si₃N₄基板は、EVトラクションインバーター、車載充電器、DC-DCコンバーター、およびエネルギー貯蔵システムで広く使用されており、従来のセラミックスと比較して、より安全な動作、より高い電力密度、およびより長い耐用年数を提供しています。次世代の信頼性を求めるメーカーにとって、この技術は、過酷な自動車環境下で優れた電気絶縁性と熱管理性能を保証します。

2025

02/04

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