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放熱課題の解決 — IGBTモジュール向け高熱伝導率窒化ケイ素基板

2025-11-12
Latest company news about 放熱課題の解決 — IGBTモジュール向け高熱伝導率窒化ケイ素基板

現代の電気自動車、鉄道牽引、産業用ドライブでは、IGBTパワーモジュールは、高い熱負荷により過熱、剥離、疲労破壊を起こしがちです。従来のアルミナまたは窒化アルミニウム基板は、熱伝導率と機械的靭性のバランスを取ることができず、耐用年数の短縮につながります。
高熱伝導率窒化ケイ素セラミック基板は、90～100 W/m・Kの熱伝導率、600 MPaを超える曲げ強度、2.8～3.2×10⁻⁶/Kの熱膨張係数を持ち、シリコンチップに完全に適合し、熱応力を最小限に抑える最適なソリューションを提供します。

また、優れた電気絶縁性（>20 kV/mm）と低誘電損失（<0.001）も特徴とし、高電圧および高周波での安全な動作を保証します。DBCまたはAMBメタライゼーションを採用することにより、Si₃N₄基板は銅との効率的な接合を実現し、放熱性と信頼性を最適化します。
IGBTおよびSiCパワーモジュールにおいて、この基板は接合温度を15～20℃下げ、モジュールの寿命を最大3倍まで延ばし、EVパワーインバーター、高速鉄道、再生可能エネルギーコンバーター、スマートグリッドの最適な選択肢となっています。
Si₃N₄セラミックスは、次世代のパワーエレクトロニクスパッケージング材料であり、極端な熱サイクル下で優れた性能、耐久性、エネルギー効率を提供します。

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