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航空宇宙分野に採用されたSi₃N₄セラミック基板、1200℃での長期動作を実現

2025-01-07
Latest company news about 航空宇宙分野に採用されたSi₃N₄セラミック基板、1200℃での長期動作を実現

航空宇宙分野の電力・制御電子機器は、高温化と高電力密度化が進んでいます。従来の金属基板は、1000℃を超えると酸化、変形、またはコーティングの剥離を起こす傾向があります。

1200℃での長時間試験において、Si₃N₄基板は安定した機械的強度と絶縁特性を維持しました。適切な金属化とパッケージング構造と組み合わせることで、高温、熱サイクル、振動に同時に耐え、構造的な劣化をほとんど起こしません。

これにより、高温電力モジュール、推進制御ユニット、オンボード電力管理に新たな材料オプションが生まれ、複雑な多段冷却や絶縁の必要性を減らし、システムアーキテクチャを簡素化し、信頼性を向上させる可能性があります。

800~1200℃の航空宇宙または産業環境向けの電子機器を設計する際には、Si₃N₄を、初期熱伝導率だけでなく、寿命と故障モードの観点からも金属基板と比較検討する必要があります。