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会社ニュース CTEマッチしたSi3N4 ↓SiCスタック 800V電動駆動インターフェイス障害を90%削減
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CTEマッチしたSi3N4 ↓SiCスタック 800V電動駆動インターフェイス障害を90%削減

2026-01-12
Latest company news about CTEマッチしたSi3N4 ↓SiCスタック 800V電動駆動インターフェイス障害を90%削減

800Vのプラットフォームでは,SiC装置は高温と高DI/dtで動作し,パッケージインターフェースの熱圧を大幅に増幅し,早期に電源モジュールの故障を引き起こす.

Si3N4基質は,約3.2×10−6/°Cの熱膨張係数を有し,約4.0×10−6/°CのSiCに近い.熱循環試験では,古い基板をSi3N4に置き換えると,溶接割れとインターフェースデラミナーションの失敗が約90%減少することが示されています.サイクリング寿命を大幅に延長します

電気自動車のブランドは 800Vのアーキテクチャを推し進めています this CTE matching at the material level reduces the need for aggressive derating and allows engineers to unlock more power margin in the same package size while maintaining reliability over the vehicle warranty period.

400Vから800Vへの移行では,SiC装置のパラメータだけに集中するだけでは不十分です.インターフェースの信頼性と熱性能を一緒に評価する.

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