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会社ニュース 25 MPa の強度を持つ AMB 結合 Si3N4 Cu は,自動車 IGBT パッケージの新しい時代を迎える
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25 MPa の強度を持つ AMB 結合 Si3N4 Cu は,自動車 IGBT パッケージの新しい時代を迎える

2025-01-14
Latest company news about 25 MPa の強度を持つ AMB 結合 Si3N4 Cu は,自動車 IGBT パッケージの新しい時代を迎える

活性金属ろう付け（AMB）は、高出力モジュールにおけるセラミック基板へのCuクラッドの主要技術であり、接合強度は、熱サイクルおよび機械的衝撃下でのIGBT/SiCモジュールの信頼性に直接影響します。

金属化とフィラーシステムを最適化することにより、Si₃N₄–Cuの接合強度は25 MPaまで向上し、従来のAlN–Cuスタックの約1.5倍になりました。これにより、同じ銅の厚さとレイアウトを持つモジュールが、より高い熱的および機械的負荷に耐えることができます。

自動車グレードのインバータ、OBC、DC/DCコンバータの場合、より高い接合強度は、パッド剥離のリスクを減らすだけでなく、「より薄い銅、より小さなパッケージ」を可能にし、より高い電力密度とよりコンパクトなアンダーフードレイアウトを促進します。

モジュールアップグレード段階では、Si₃N₄ AMBソリューションを早期に試用し、同一レイアウト下でのパワーサイクリングと熱衝撃寿命のA/B比較を行い、信頼性の向上を定量化する必要があります。

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