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会社ニュース AlNセラミック基板は,230 W/ ((m·K) で5Gベースステーションの熱標準となる
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AlNセラミック基板は,230 W/ ((m·K) で5Gベースステーションの熱標準となる

2025-05-11
Latest company news about AlNセラミック基板は,230 W/ ((m·K) で5Gベースステーションの熱標準となる

5Gマクロセルとスモールセルでは、RFパワーアンプとフィルタが高周波と高電力で動作するため、熱性能と誘電損失の両方に非常に敏感です。従来のAl₂O₃は、両方の要件を同時に満たすことができないことがよくあります。

AlNセラミック基板は、最大230 W/(m·K)の熱伝導率と、10 GHzで<0.0005という低い誘電損失を実現します。チップインターフェースから効率的に熱を除去し、信号の完全性を維持し、RF PAの熱抵抗を約0.3 K/Wに低減します。5G基地局でAlN基板を採用すると、接合温度が大幅に低下し、出力電力と直線性維持が容易になり、より多くのRFチャネルを同じキャビネット容量に統合してサイト容量を増やすことができます。

「高出力+高周波+高密度」がすべて必要な場合、AlNはRFモジュールのデフォルトの基板選択肢であるべきであり、そのベースラインの上にレイアウトと冷却の最適化を構築する必要があります。

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