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会社ニュース 高電力密度と熱故障の課題に取り組む シリコンナイトライドセラミック基板は次世代半導体の安定したパッケージングを可能にします
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高電力密度と熱故障の課題に取り組む シリコンナイトライドセラミック基板は次世代半導体の安定したパッケージングを可能にします

2025-08-11
Latest company news about 高電力密度と熱故障の課題に取り組む シリコンナイトライドセラミック基板は次世代半導体の安定したパッケージングを可能にします

SiC、GaN、IGBTモジュールなどの第三世代半導体が、より高い電力密度とスイッチング周波数に向けて進化を続ける中、顧客は熱的故障やデバイスの信頼性に関する課題に直面しています。高温・高電流動作下では、従来のアルミナや窒化アルミニウム基板は、しばしば低い熱伝導率と低い機械的強度に悩まされ、過熱、はんだ疲労、または剥離を引き起こします。

高熱伝導率の窒化ケイ素（Si₃N₄）セラミック基板は、画期的なソリューションを提供します。高純度Si₃N₄粉末から精密成形と2000℃以上の焼結によって製造され、>80 W/(m・K)の熱伝導率に加え、優れた絶縁性、低い誘電損失、そして優れた曲げ強度を実現します。

従来の材料とは異なり、窒化ケイ素の熱膨張係数はシリコンチップに近いため、熱応力を軽減し、剥離を防ぎます。高い破壊靭性と耐熱衝撃性により、急速な加熱サイクルや頻繁な起動停止動作下での信頼性が確保され、モジュールの寿命を大幅に延長します。

窒化ケイ素セラミック基板は現在、EVモーター駆動モジュール、鉄道牽引コンバーター、高速鉄道制御システム、急速充電電源ユニットに広く採用されています。顧客からのフィードバックによると、従来の基板と比較して、接合温度が最大15％低下し、熱サイクル寿命が3倍に向上しています。

高い熱伝導率、機械的信頼性、および電気絶縁性を備えた窒化ケイ素セラミック基板は、次世代パワーエレクトロニクスパッケージングと熱管理に最適な材料となり、より安全で、長寿命で、より効率的な半導体システムをサポートしています。

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